[发明专利]静电放电保护装置有效
申请号: | 201010204263.6 | 申请日: | 2010-06-21 |
公开(公告)号: | CN102290418A | 公开(公告)日: | 2011-12-21 |
发明(设计)人: | 陈德威 | 申请(专利权)人: | 慧荣科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;H01L29/73;H01L23/60 |
代理公司: | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人: | 易钊 |
地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明涉及一种静电放电保护装置,用以在第一电路和第二电路之间提供静电放电路径,所述静电放电保护装置包括第一掺杂区,其具有第一导电类型;第一井区,其具有与所述第一导电类型的类型相反的第二导电类型;第二掺杂区和第三掺杂区位于所述第一井区中,其中所述第二掺杂区和上述第三掺杂区分别具有所述第一导电类型和上述第二导电类型,其中所述第一掺杂区耦接至所述第一电路的电源供应端或接地端,且所述第二掺杂区和所述第三掺杂区皆对应耦接至所述第二电路的电源供应端或接地端。本发明的静电放电保护装置为互相连接的两个电路提供了静电放电路径,有效保护了半导体装置不受ESD的威胁。 | ||
搜索关键词: | 静电 放电 保护装置 | ||
【主权项】:
一种静电放电保护装置,用以在第一电路和第二电路之间提供静电放电路径,其特征在于,该静电放电保护装置包括:第一掺杂区:具有第一导电类型;第一井区:具有相反于该第一导电类型的第二导电类型;第二掺杂区和第三掺杂区:位于该第一井区中,所述第二掺杂区和第三掺杂区分别具有第一导电类型和第二导电类型;所述第一掺杂区耦接至第一电路的电源供应端或接地端,所述第二掺杂区和第三掺杂区皆对应耦接至第二电路的电源供应端或接地端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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