[发明专利]一种碳化硅纳米无纺布及其制备方法

摘要

一种碳化硅纳米无纺布及其制备方法，涉及SiC纳米线材料及其制备方法。本发明解决现有SiC纳米纤维在应用中易团聚、分散不均匀、难以形成固定形状的问题。无纺布由β-SiC单晶相纳米纤维自组装交叉叠加形成，厚度0.2~50mm，单根长度为50微米至5厘米。方法：凝胶溶胶法制得非晶态Si-B-O-C复合粉体，然后将复合粉体研磨后与乙醇混合得浆料，再将浆料涂在坩埚底部后将坩埚置于气氛烧结炉，在惰性气氛中热处理即可。碳化硅纳米无纺布解决SiC纳米纤维难以应用的弊端，作为增强相得的复合材料中纳米纤维分布均匀，复合材料性能提高。方法简单，制备周期短，大规模、高产率地制备SiC纳米无纺布。

主权项

一种碳化硅纳米无纺布，其特征在于碳化硅纳米无纺布是由SiC纳米纤维自组装交叉叠加在一起形成，呈三维空间网状结构，SiC纳米无纺布的厚度为0.2~50mm，其中，单根SiC纳米纤维为β-SiC的单晶相，直径50~200nm，长度为50微米至5厘米。