[发明专利]一种反极性AlGaInP红光LED芯片电流扩展的制作方法无效
| 申请号： | 201010206097.3 | 申请日： | 2010-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN101908594A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 夏伟;徐现刚;苏建;张新;张秋霞;陈康;任忠祥 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250101 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种反极性AlGaInP红光LED芯片电流扩展的制作方法，包括以下步骤：在AlGaInP红光LED外延片的P面蒸镀的金属层上光刻出圆形图案，将这些圆形图案以外的金属层去掉，形成一个个金属小圆柱；使P面的外延层与金属层形成欧姆接触；在整个P面上淀积介质膜；在介质膜上用光刻的方法套刻圆形图案，腐蚀掉每个圆形图案上的介质膜，形成电流窗口；在介质膜和电流窗口上蒸发金属，形成一个莲蓬式的电流扩展层；采用常规晶片粘接工艺，将GaAs衬底置换为Si或SiC衬底。本发明以多孔结构组成莲蓬式的电流扩展，使电流得到了很好的扩展，大大提高了LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 极性 algainp 红光 led 芯片 电流 扩展 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种反极性AlGaInP红光LED芯片电流扩展的制作方法，其特征是，包括以下步骤：(1)按常规方法在制备好的AlGaInP红光LED外延片的P面蒸镀金属层；(2)在P面蒸镀的金属层上光刻出一个个直径为20um-30um的圆形图案，所有图形图案占整个外延片P面面积的40-50％，将这些圆形图案以外的金属层去掉，形成一个个金属小圆柱；(3)使用高温扩散炉，在氮气流量5L/min的条件下，在450℃退火5分钟，使P面的外延层与金属层形成欧姆接触；(4)采用PECVD工艺在整个P面上淀积介质膜；(5)在介质膜上用光刻的方法套刻圆形图案，腐蚀掉每个圆形图案上的介质膜，形成电流窗口；(6)在介质膜和电流窗口上蒸发金属，厚度![]()
形成一个莲蓬式的电流扩展层；(7)采用常规晶片粘接工艺，将GaAs衬底置换为Si或SiC衬底；(8)按常规工艺完成芯片的其它工艺步骤。
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