[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010206738.5 | 申请日： | 2006-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101887918A | 公开（公告）日： | 2010-11-17 |
| 发明（设计）人： | 秋元健吾;本田达也;曾根宽人 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/04;H01L21/34;H01L27/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐予红 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于通过使用以氧化锌为典型的氧化物半导体膜形成薄膜晶体管，以低成本提供一种半导体器件及其制造方法，而不使制造工序复杂化。本发明的半导体器件之一，在衬底上形成栅极，覆盖栅极地形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜，并且在氧化物半导体膜上形成第一导电膜和第二导电膜，其中氧化物半导体膜在沟道形成区域中至少包括结晶化了的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：栅极；氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括邻近栅极的沟道区，所述氧化物半导体层包括铟；与氧化物半导体层直接接触的源极和漏极，所述源极和漏极中的每一个包括金属或金属氮化物；以及与氧化物半导体层接触的金属氧化物膜，其中沟道区实质上是本征的。
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