[发明专利]硅晶片表面的制绒方法

摘要

本发明公开了一种硅晶片表面的制绒方法，包括对硅晶片表面的清洗净化，将清洗净化后的硅晶片两两叠合置于气相沉积反应炉中，当气相沉积反应炉的温度控制在1050℃至1200℃，真空度控制在1x10-2Pa至1x10-4Pa的条件下，将三氯氢硅和氢气按化学反应式满足反应所需的摩尔比的量混合，通入气相沉积反应炉中，使晶体硅沉积在两两叠合后的硅晶片外露表面，并形成硅晶粒绒面，沉积完成后，通入氮气，使气相沉积反应炉内降温升压致常温常压，取出沉积有硅晶粒绒面的硅晶片。根据本发明的硅晶片表面的制绒方法得到的硅晶粒绒面，其绒层厚5um-8um，硅片表面反射率波长300nm-1100nm内反射率平均值为7.5％-8.5％。实现了硅晶粒绒面层可控，降低了硅晶片绒面的反射率，生产工艺简单，批量生产速度快。

主权项

一种硅晶片表面的制绒方法，包括对硅晶片表面的清洗净化，其特征是将清洗净化后的硅晶片两两叠合置于气相沉积反应炉中，当气相沉积反应炉的温度控制在1050℃至1200℃，真空度控制在1x10‑2Pa至1x10‑4Pa的条件下，将三氯氢硅和氢气按化学反应式满足反应所需的摩尔比的量混合，通入气相沉积反应炉中，使晶体硅沉积在两两叠合后的硅晶片外露表面，并形成硅晶粒绒面，其化学反应式为：SiHCl3+H2＝Si+3HCl；所形成的硅晶粒绒面的厚度由气相沉积反应炉内空间气相反应物的摩尔浓度和沉积时间来控制，沉积完成后，通入氮气，使气相沉积反应炉内降温升压致常温常压，取出沉积有硅晶粒绒面的硅晶片。