[发明专利]一种激光烧蚀制备氧化硅纳米泡沫的方法

摘要

一种激光烧蚀制备氧化硅纳米泡沫的方法，它涉及氧化硅纳米泡沫的制备方法。本发明解决了现有硅基纳米结构材料制备方法中存在工艺复杂、工序耗时多、易引入杂质、对环境有污染的问题。本发明的方法为：一、清洗单晶硅片后，固定在二维平台上；二、设定二维平移台的步进速度和位移，然后将聚焦光束作用在随二维平移台运动的单晶硅片上；即可。本发明的方法简单，工艺简易，制备过程用时短，制备过程可控，无杂质引入，对环境友好，更重要的是可以实现纳米泡沫层的大面积制备。本发明制备的纳米氧化硅泡沫在单晶硅片表面分布均匀，颗粒尺寸为8~12nm。

主权项

一种激光烧蚀制备氧化硅纳米泡沫的方法，其特征在于激光烧蚀制备氧化硅纳米泡沫的方法是通过以下步骤实现的：一、将单晶硅片进行清洁处理，然后将清洁后的单晶硅片固定于二维平移台上，其中二维平移台与步进电机控制器连接，随步进电机控制器同步运动，同时步进电机控制器由计算机系统控制；二、采用波长为532nm、脉冲宽度10ns的Nd:YAG激光器，通过计算机系统设定步进电机控制器的步进速度和二维方向上的位移，然后在室温、大气环境下，将激光强度为4×1011 W/cm2~8×1011 W/cm2的固定聚焦光束作用于单晶硅片上，同时启动步进电机控制器，固定有单晶硅片的二维平移台与步进电机控制器同步运动，其中步进速度为0.5~2mm/s；三、当二维平移台停止运动时，将激光器关闭，即在单晶硅片上利用激光烧蚀制备得到氧化硅纳米泡沫。