[发明专利]参考电压调节器有效
| 申请号： | 201010208683.1 | 申请日： | 2010-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN101930786A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 穆罕默德·努莫;史奇·罗曼诺夫斯基 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/06 | 分类号： | G11C7/06 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;邢雪红 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种参考电压调节器，用于一eDRAM中，使其以一参考电平进行VSS感测，其中一振荡器用以在存取之间传送取样与校正请求至一控制区块，该控制区块用以传送一脉冲，该脉冲用以定义一脉冲产生器进行取样与校正的时间长度，一参考产生器用以提供该参考电平至一比较器，而该比较器将该参考电平与该参考电压输出的取样值进行比较，该比较器用以决定该参考电压输出是否需要校正，并依照其决定传送一校正请求至一脉冲产生器，该脉冲产生器用以依据该比较器发出的该校正请求产生一校正脉冲至一驱动器，而该驱动器用以调整该校正脉冲期间的参考电压输出。本发明能够在eDRAM中产生准确参考电压电平。 | ||
| 搜索关键词： | 参考 电压 调节器 | ||
【主权项】：
一种参考电压调节器，用于一嵌入式动态随机随取存储器eDRAM中，使其以一参考电平进行VSS感测，包括：一振荡器；一控制区块；一参考产生器；一比较器；一脉冲产生器；一驱动器；以及一参考电压输出；其中该振荡器用以在每次对该eDRAM进行存取之间传送取样与校正请求至该控制区块，该控制区块用以传送一脉冲，该脉冲用以定义该脉冲产生器进行取样与校正的时间长度，该参考产生器用以提供该参考电平至该比较器，而该比较器将该参考电平与该参考电压输出的取样值进行比较，比较器用以决定该参考电压输出是否需要校正，并依照其决定传送一校正请求至该脉冲产生器，该脉冲产生器用以依据该比较器发出的该校正请求产生一校正脉冲至该驱动器，而该驱动器用以调整该校正脉冲期间的的参考电压输出。
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