[发明专利]沟槽型超级结器件的制作方法及得到的器件无效
| 申请号： | 201010208746.3 | 申请日： | 2010-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN102299072A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 王飞;肖胜安;钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型超级结器件的制作方法及得到的器件，包含以下步骤：步骤一、在N型外延硅片上成长介质膜，利用光刻/刻蚀形成沟槽；步骤二、利用离子注入将P型杂质注入到沟槽底及其以下的部分；步骤三、在沟槽中填充P型硅或P型硅加介质或P型硅加不掺杂的硅填满沟槽；步骤四、利用回刻或化学机械研磨将表面的硅和介质去除；得到一种交替的P型和N型结构。本发明所述P型薄层或P型柱是由离子注入形成的部分与沟槽中的部分相加而成，从而可以增加超级结高压MOSFET的击穿电压，可以使用较浅的沟槽来得到需要的击穿电压；由于采用了较浅的沟槽，就使的沟槽刻蚀和沟槽填充的工艺难度都得到减低，并且可以进一步减低工艺的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 超级 器件 制作方法 得到 | ||
【主权项】：
一种沟槽型超级结器件的制作方法，其特征在于，包含以下步骤：步骤一、在N型外延硅片上成长介质膜，利用光刻/刻蚀形成沟槽；步骤二、利用离子注入将P型杂质注入到沟槽底及其以下的部分；步骤三、在沟槽中填充P型硅或P型硅加介质或P型硅加不掺杂的硅填满沟槽；步骤四、利用回刻或化学机械研磨将表面的硅和介质去除；得到一种交替的P型和N型结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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