[发明专利]压力传感器空腔结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201010208751.4 | 申请日： | 2010-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN102297737A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 彭虎;方精训 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/20 | 分类号： | G01L1/20;G01L9/02;B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种压力传感器空腔结构，在硅衬底上设置有空腔，所述空腔的周围设置有多个与空腔边缘方向垂直的释放槽，所述空腔上方设置有薄膜层，所述薄膜层由多个释放槽之间的硅衬底部分来支撑，同时露出释放槽的一部分，所述薄膜层上覆盖有填充层，所述填充层通过释放槽延伸到空腔中，将所述空腔密封。本发明还公开了一种上述压力传感器空腔结构的制作方法，通过释放槽来去除空腔内的牺牲层，得到压力传感器空腔结构。本发明可以得到真空空腔及厚度均匀的薄膜，且能与现有硅表面CMOS工艺较好的兼容，并且能够使得压力传感器具有更好的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 压力传感器 空腔 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种压力传感器空腔结构，其特征在于，在硅衬底上设置有空腔，所述空腔的周围设置有多个与空腔边缘方向垂直的释放槽，所述空腔上方设置有薄膜层，所述薄膜层由多个释放槽之间的硅衬底部分来支撑，同时露出释放槽的一部分，所述薄膜层上覆盖有填充层，所述填充层通过释放槽延伸到空腔中，将所述空腔密封。
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