[发明专利]一种三相溶剂气助连续萃取方法有效
申请号: | 201010209890.9 | 申请日: | 2010-06-18 |
公开(公告)号: | CN102284190A | 公开(公告)日: | 2011-12-21 |
发明(设计)人: | 刘会洲;于品华;赵君梅;黄昆 | 申请(专利权)人: | 中国科学院过程工程研究所 |
主分类号: | B01D11/04 | 分类号: | B01D11/04 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 李柏 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种三相溶剂气助连续萃取方法。该方法是在使用一种三相溶剂气助连续萃取设备上进行的,所述设备包括底部带有气体入口的气浮柱,气浮柱由下至上依次包括填充有含有待分离的有机物或离子型物质的盐水相的下相传质区、填充有聚合物相的中相传质区和填充有有机溶剂相的上相传质区;所述下相传质区还包括位于下相传质区底部的气体分布器;所述下相传质区和中相传质区之间还安装有带有孔的隔板。将气体从气体入口通入气浮柱中,产生的气泡携带着盐水相中的待分离的有机物或离子型物质向上传递,下层盐水相中的有机物或离子型物质被萃取到中相传质区中填充的聚合物相和上相传质区中填充的有机溶剂相中,完成三相溶剂气助连续萃取过程。 | ||
搜索关键词: | 一种 三相 溶剂 连续 萃取 方法 | ||
【主权项】:
一种三相溶剂气助连续萃取方法,其是在使用一种三相溶剂气助连续萃取设备上进行的,其特征是:所述设备包括底部带有气体入口的气浮柱,所述气浮柱由下至上依次包括下相传质区、中相传质区和上相传质区,其中,所述下相传质区中填充有盐水相,所述盐水相中含有待分离的有机物或离子型物质;所述下相传质区包括位于下相传质区底部的气体分布器、位于下相传质区上部的盐水相进口、位于下相传质区下部的盐水相出口;所述中相传质区中填充有聚合物相;所述中相传质区包括位于中相传质区上部的聚合物相进口和位于中相传质区下部的聚合物相出口;所述上相传质区中填充有有机溶剂相;所述上相传质区包括位于上相传质区上部的有机溶剂相进口和位于上相传质区下部的有机溶剂相出口;所述下相传质区和中相传质区之间还安装有带有孔的隔板;将气体从所述的气浮柱底部的所述气体入口通入气浮柱中,通入的气体通过所述的气体分布器后进入所述的下层盐水相中进行鼓泡,产生的气泡携带着所述盐水相中的所述的待分离的有机物或离子型物质向上传递,下层盐水相中的待分离的有机物或离子型物质经过所述的中相传质区和所述的上相传质区,下层盐水相中的有机物或离子型物质被萃取到中相传质区中填充的聚合物相中和上相传质区中填充的有机溶剂相中,完成三相溶剂气助连续萃取过程;所述盐水相中含有的待分离的有机物为疏水性有机物,待分离的离子型物质为无机金属离子或非金属离子。
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