[发明专利]一种消除穿通光刻针孔危害的可控硅结构及其生产方法有效
| 申请号： | 201010212163.8 | 申请日： | 2010-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN101937928A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 耿开远;周健;朱法扬 | 申请（专利权）人： | 启东吉莱电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L21/332;G03F7/20 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人： | 卢海洋 |
| 地址： | 226224 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种消除光刻针孔危害的可控硅结构，包括可控硅片，其特征是所述可控硅片上生成有一次氧化层、二次氧化层和硼扩散穿通环，所述一次氧化层上光刻产生有多个一次针孔，所述每个一次针孔处无一次氧化层；所述二次氧化层覆盖于一次氧化层和一次针孔上，所述二次氧化层光刻产生有多个二次针孔，所述每个二次针孔处无二次氧化层、但不穿透一次氧化层，所述硼扩散穿通环设于一次氧化层和二次氧化层的左右两侧，所述二次氧化层厚度小于一次氧化层厚度；所述方法包括生长一层较厚的一次氧化层、一次光刻穿通环、二次氧化和二次光刻三个步骤。本发明的优点是：彻底消除了针孔危害，大大提高了可控硅产品批次合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 消除 光刻 针孔 危害 可控硅 结构 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种消除光刻针孔危害的可控硅结构，包括可控硅片，其特征是所述可控硅片上生成有一次氧化层、二次氧化层和硼扩散穿通环，所述一次氧化层上光刻产生有多个一次针孔，所述每个一次针孔处无一次氧化层；所述二次氧化层覆盖于一次氧化层和一次针孔上，所述二次氧化层光刻产生有多个二次针孔，所述每个二次针孔处无二次氧化层、但不穿透一次氧化层，所述硼扩散穿通环设于一次氧化层和二次氧化层的左右两侧。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于启东吉莱电子有限公司，未经启东吉莱电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010212163.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高性能场效应晶体管及其形成方法
- 下一篇：接触孔填充方法
- 同类专利
- 专利分类
