[发明专利]P型半导体氧化锌薄膜,其制备方法,和使用透明基片的脉冲激光沉积方法无效
| 申请号： | 201010212424.6 | 申请日： | 2007-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN101942642A | 公开（公告）日： | 2011-01-12 |
| 发明（设计）人： | 刘冰;胡振东;车勇;上原譲 | 申请（专利权）人： | IMRA美国公司 |
| 主分类号： | C23C14/28 | 分类号： | C23C14/28;C23C14/04;C23C14/08 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 王维绮 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 披露了p型半导体氧化锌(ZnO)薄膜和制备所述薄膜的方法。所述薄膜是用磷(P)和锂(Li)共掺杂的。披露了用于生成所述薄膜的脉冲激光沉积方法。还披露了使用透明基片的脉冲激光沉积方法，它包括脉冲激光源，在脉冲激光波长下透明的基片，以及多靶系统。脉冲激光的光程是这样设置的，使得脉冲激光从基片的背面入射，穿过基片，然后聚焦在靶上。通过向着靶平移基片，这种几何设置能够利用烧蚀羽流的根部沉积小结构，它在通过三维绝热膨胀加宽羽流的角宽度前，可以沿靶表面法线存在于一维过渡阶段。这可以提供小的沉积结构尺寸，该尺寸可以类似于激光焦斑的尺寸，并且提供一种用于直接沉积图案化材料的新方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 氧化锌 薄膜 制备 方法 使用 透明 脉冲 激光 沉积 | ||
【主权项】：
一种用于沉积透明薄膜和在基片上直接沉积图案化结构的装置，包括：脉冲激光源，束流传送系统，用于引导所述激光通过所述基片并将它聚焦在靶上，透明基片，所述透明基片上沉积有从所述靶烧蚀或蒸发的材料，和平移系统，用于相对于所述靶移动所述基片。
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