[发明专利]一种CuInSe2基薄膜太阳能电池

摘要

本发明公开了一种CuInSe2基薄膜太阳能电池，依次由基底、金属正极、由CuAlSe2/CuAlxGa1-xSe2/CuGaSe2薄膜依次构成的反射层、由CuIn1-mGamSe2/CuInSe2-ySy/Cu1-aZnaInSe2-bSb薄膜依次构成的光电转换层和由CdS/i-ZnO/AZO薄膜依次构成的透明导电层构成。本发明通过多层膜和梯度膜技术构造了光电转换层和反射层，通过层间电荷迁移实现对导带底和价带顶的调控，形成更优的p-n结能带结构，提高了器件的长波响应和载流子收集效率，并提高了器件的光电转换效率。

主权项

一种CuInSe2基薄膜太阳能电池，依次由基底、金属正极、反射层、光电转换层和透明导电层构成，其特征在于，所述的反射层由CuAlSe2/CuAlxGa1-xSe2/CuGaSe2薄膜依次构成，所述的光电转换层由CuIn1-mGamSe2/CuInSe2-ySy/Cu1-aZnaInSe2-bSb薄膜依次构成，所述的透明导电层由CdS/i-ZnO/AZO薄膜依次构成；所述的反射层与所述的金属正极接触的为CuAlSe2薄膜，所述的反射层与所述的光电转换层的界面为CuGaSe2/CuIn1-mGamSe2界面，所述的光电转换层与所述的透明导电层的界面为Cu1-aZnaInSe2-bSb/CdS界面。