[发明专利]带有电荷埋层的太阳电池的制备方法

摘要

本发明涉及一种单晶硅太阳电池及其制备方法，特指利用在钝化介质层中引入电荷埋层的单晶硅太阳电池，属于太阳能电池器件制备技术领域。本发明是基于通常单晶硅太阳电池的制备方案，太阳电池的结构是采用局部背接触结构，其特征在于：在太阳电池背面利用热氧化或原子层沉积技术生长一层SiO2层，再利用PECVD生长一层SiNx薄膜，利用激光刻槽技术，刻出背电极接触区域，然后利用电晕方式注入电子，最后利用真空蒸镀方式沉积Al电极。本发明能有效提高太阳电池效率。

主权项

带有电荷埋层的太阳电池的制备方法，太阳电池的结构采用局部背接触结构，包括干氧步骤、制绒步骤、扩散制结步骤和背结和边缘刻蚀步骤四个步骤其特征在于：背结和边缘刻蚀后，在太阳电池背面利用热氧化生长一层厚度为800～1100nm的SiO2层或利用原子层沉积技术沉积一层500～1000nm SiO2层；利用PECVD在太阳电池制绒一面上生长一层厚度在60～80nm的SiNx层，形成减反膜；再利用PECVD在背面的SiO2层上生长一层40～100nm的SiNx薄膜，利用激光刻槽技术，刻出背电极接触区域，利用溅射方法沉积ITO透明上电极，然后利用电晕方式在电池背面的SiO2/SiNx薄膜中注入电子，最后利用真空蒸镀方式沉积Al电极。