[发明专利]等离子体处理装置、薄膜制造方法和薄膜晶体管制造方法

摘要

本发明的一个方式的目的在于提供一种可以形成均匀且优质的膜的等离子体处理装置。该等离子体处理装置具有如下结构：其上部电极具有设置有第一引入孔(第一气体管道)的凸部和设置有第二引入孔(第二气体管道)的凹部，所述上部电极的第一引入孔(第一气体管道)连接到填充有不容易离解的气体的第一汽缸且第二引入孔(第二气体管道)连接到填充有容易离解的气体的第二汽缸，从设置在所述上部电极的凸部的表面的第一引入孔(第一气体管道)的引入口将不容易离解的气体引入到反应室并从设置在凹部的表面的第二引入孔(第二气体管道)的引入口将容易离解的气体引入到反应室。

主权项

一种等离子体处理装置，其中在反应室内产生辉光放电等离子体并在该反应室内的衬底上沉积生成物，该等离子体处理装置包括：在所述反应室内，其上装载有所述衬底的第一电极；与所述第一电极相对的第二电极，该第二电极包括与所述第一电极相对的所述第二电极的表面上的多个突出部分；以及电连接于所述第二电极的高频电源，其中，所述第二电极具有设置在所述多个突出部分的顶面的第一气体引入口、设置在所述多个突出部分之间的第二气体引入口，并且，在将高频电力供给给所述第二电极时，在所述多个突出部分上产生的所述辉光放电等离子体的电子密度高于在所述多个突出部分之间产生的所述辉光放电等离子体的电子密度。