[发明专利]半导体组件、半导体元件及其制法有效
| 申请号： | 201010213358.4 | 申请日： | 2010-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN102148211A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 赖怡仁;韩至刚;詹前彬;简智源;杨怀德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体元件、半导体组件及半导体元件的形成方法，半导体元件包括一半导体基材；一焊盘区域，位于该半导体基材上；以及一凸块结构，位于该焊盘区域之上且电性连接该焊盘区域。凸块结构包括铜层与位于铜层上的无铅焊料层。无铅焊料层为锡银合金层，且于锡银合金层中的银含量小于1.6重量百分比。当无铅凸块中的银含量较低时，凸块硬度会随之降低。较软的凸块可以消除由于热应力所引起的裂缝问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 组件 元件 及其 制法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，包括：一半导体基材；一焊盘区域，位于该半导体基材上；以及一凸块结构，位于该焊盘区域之上且电性连接该焊盘区域，其中该凸块结构包括一铜层与位于该铜层之上的一锡银合金层，且该锡银合金层中的银含量小于1.6重量百分比。
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