[发明专利]一种可提高溅射工艺靶材利用率的方法无效
| 申请号： | 201010213604.6 | 申请日： | 2010-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN101921989A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 王磊;邱勇;黄秀颀;高孝裕;魏朝刚 | 申请（专利权）人： | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于改进溅射工艺用靶材的方法，特别涉及一种可提高磁控物理溅射中靶材利用率的方法。本发明根据现有平面靶材不同区域的材料消耗规律对靶材进行模块化设计，可以显著提高磁控物理溅射中的靶材利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 溅射 工艺 利用率 方法 | ||
【主权项】：
一种可提高溅射工艺靶材利用率的方法，包括以下步骤：(1)对已耗尽的剩余平面靶材进行测量，得出平面靶材不同区域的材料消耗深度规律；(2)根据第(1)步测量结果对一体式平面靶材进行分体模块化设计，将原靶材的不同区域设计制成分别独立的靶材模块；(3)将第(2)步制备的各个靶材模块在配套的背板基座上拼合，形成模块化靶材。
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