[发明专利]ZnO/ZnMgO多量子阱紫外激光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201010214026.8 | 申请日： | 2010-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN101888061A | 公开（公告）日： | 2010-11-17 |
| 发明（设计）人： | 方国家;龙浩;黄晖辉;李颂战;莫小明;王皓宁 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/30;H01S5/042 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430072*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种ZnO/ZnMgO多量子阱紫外激光二极管及其制备方法。该紫外发光二极管衬底为生长在蓝宝石上的n型GaN，在衬底自下而上依次有由ZnO和Zn1-xMgxO交替沉积形成的ZnO/Zn1-xMgxO多量子阱有源层、p型NiO薄膜层和第二电极，第一电极与ZnO/Zn1-xMgxO多量子阱有源层并列沉积在n型GaN膜层上。其制备方法是首先用射频磁控溅射工艺在衬底上制备ZnO/Zn1-xMgxO多量子阱有源层；然后在n型ZnO薄膜层上溅射p型NiO薄膜层；最后制作第一电极和第二电极。ZnO/ZnMgO多量子阱紫外激光二极管具有较好的电致紫外自由激射发光特性，发光峰值波长在373nm左右，单根激射光线宽小于0.5nm。ZnO/ZnMgO多量子阱紫外激光二极管制备工艺简单、成本低廉，易于实现产业化。 | ||
| 搜索关键词： | zno znmgo 多量 紫外 激光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种ZnO/ZnMgO多量子阱紫外激光二极管，其特征在于：衬底为生长在蓝宝石(1)上的n型GaN(2)；在衬底自下而上依次有由ZnO和Mg1-xZnxO交替沉积形成的ZnO/Zn1-xMgxO多量子阱有源层(3)、p型NiO薄膜层(4)和第一电极(5)；还有第二电极(6)与ZnO/Zn1-xMgxO多量子阱有源层(3)并列沉积在n型GaN层(2)上，其中ZnO/Zn1-xMgxO多量子阱有源层(3)的0.1≤x≤0.3。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉大学，未经武汉大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010214026.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
