[发明专利]块状单晶含镓氮化物、其获得方法、其制造的衬底以及在该衬底上制造的器件无效
| 申请号： | 201010214264.9 | 申请日： | 2010-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN101988213A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·托马什·德维林斯基;罗曼·马雷克·多拉津斯基;莱谢克·彼得·西尔兹普托夫斯基;耶日·加尔钦斯基;马里乌什·鲁津斯基 | 申请（专利权）人： | 阿莫诺公司 |
| 主分类号： | C30B7/00 | 分类号： | C30B7/00;C30B33/02;C30B29/40;H01L29/20;H01L31/04;H01L31/08;H01L29/778;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;吴鹏章 |
| 地址： | 波兰*** | 国省代码： | 波兰;PL |
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| 摘要： | 本发明涉及一种获得块状单晶含镓氮化物的方法，其包括单晶含镓氮化物从含有I族金属离子和受主掺杂剂离子的超临界含氨溶液中晶种结晶的步骤，其中在工艺条件下，所述受主掺杂剂离子与超临界含氨溶剂的摩尔比为至少0.0001。根据所述方法，在所述晶种结晶的步骤之后，所述方法还包括使所述氮化物在950℃～1200℃、优选950℃～1150℃的温度下退火的步骤。本发明还涉及一种通过本发明的方法可获得的块状单晶含镓氮化物。本发明还涉及用于外延生长的由单晶含镓氮化物制成的衬底以及在该衬底上制造的器件。 | ||
| 搜索关键词： | 块状 单晶含镓 氮化物 获得 方法 制造 衬底 以及 器件 | ||
【主权项】：
一种获得块状单晶含镓氮化物的方法，其包括单晶含镓氮化物从含有I族金属离子和受主掺杂剂离子的超临界含氨溶液中晶种结晶的步骤，其中在工艺条件下，所述受主掺杂剂离子与超临界含氨溶剂的摩尔比为至少0.0001，所述方法的特征在于，在所述晶种结晶的步骤之后，所述方法还包括使所述氮化物在950℃～1200℃、优选950℃～1150℃的温度下退火的步骤。
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