[发明专利]半导体器件及其制造方法、显示装置有效
| 申请号： | 201010214329.X | 申请日： | 2010-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN101937872A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 山本和人;两泽克彦 | 申请（专利权）人： | 卡西欧计算机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L21/268;H01L27/02;G09G3/32 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 许玉顺;胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够抑制成品率及生产量的下降的半导体器件及其制造方法以及显示装置。在除了形成有布线的第一区域以外的、形成有半导体层的第二区域形成光热变换层，对上述第一区域及上述第二区域照射光，通过上述光热变换层对上述半导体层进行加热。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，在除了形成有布线的第一区域以外的、形成有半导体层的第二区域上，形成光热变换层；对上述第一区域及上述第二区域照射光，利用上述光热变换层对上述半导体层进行加热。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
