[发明专利]一种去除硅片表面杂质的方法无效
| 申请号： | 201010214616.0 | 申请日： | 2010-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN101875048A | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | 杨福山;叶淳超;夏恒军 | 申请（专利权）人： | 国电光伏(江苏)有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/12 | 分类号： | B08B3/12;B08B3/10 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 214213 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种去除硅片表面杂质的方法，将硅片放入密闭容器中，在密闭容器中使用紫外线灯照射；在密闭容器中通入臭氧，温度20～50℃，时间不少于60s，使硅片的表面生成氧化层；将密闭的容器中通入碱液超声洗不少于200s，温度是0～50℃；将表面活性剂通入密闭容器超声洗不少于200s，温度是0～50℃；将硅片用纯水超声洗不少于200s，温度是0～50℃；硅片用无水乙醇洗后烘干成品。本发明在处理过程中不会对硅片造成损害，操作便捷，设备简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 硅片 表面 杂质 方法 | ||
【主权项】：
一种去除硅片表面杂质的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将硅片放入密闭容器中，在密闭容器中使用紫外线灯照射，紫外线灯的能量不小于600mj/cm2；(2)在密闭容器中通入臭氧，温度20～50℃，时间不少于60s，使硅片的表面生成氧化层；(3)将密闭的容器中通入碱液超声洗不少于200s，温度是0～50℃；(4)将表面活性剂通入密闭容器超声洗不少于200s，温度是0～50℃；(5)将硅片用纯水超声洗不少于200s，温度是0～50℃；(6)硅片用无水乙醇洗后烘干成品。
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