[发明专利]集成弱写测试功能的自定时写跟踪型静态随机存储器及其校准方法有效

专利信息
申请号: 201010214627.9 申请日: 2010-07-01
公开(公告)号: CN101859594A 公开(公告)日: 2010-10-13
发明(设计)人: 张昭勇;郑坚斌 申请(专利权)人: 秉亮科技(苏州)有限公司
主分类号: G11C11/413 分类号: G11C11/413;G11C29/12
代理公司: 南京众联专利代理有限公司 32206 代理人: 赵枫
地址: 215021 江苏省苏州市苏州工*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种集成弱写测试功能的自定时写跟踪型静态随机存储器,通过其内部设置的写跟踪字线阵列和写跟踪位线阵列来实现字线、位线上的负载跟踪,写跟踪字线阵列设有多个模拟字线负载SRAM单元且其模拟字线信号与模拟字线驱动器和集成写跟踪SRAM单元的字线相连,写跟踪位线阵列由多个集成写跟踪SRAM单元和模拟位线负载SRAM单元组成,写跟踪位线与可编程集成模拟写入驱动器的输出相连,写跟踪互补位线连接至写跟踪复位电路上,集成写跟踪SRAM单元的电源连接在外部带有探测端的虚拟电源VREF上。本发明不仅可以使用在通常的写入时间控制,而且可以应用到弱写测试模式时的写入时间控制,另外其弱写测试校准方法则简化了弱写测试校准的过程。
搜索关键词: 集成 测试 功能 定时 跟踪 静态 随机 存储器 及其 校准 方法
【主权项】:
一种集成弱写测试功能的自定时写跟踪型静态随机存储器,设有存储器阵列、具有弱写测试模式的输入/输出电路以及字线驱动器阵列和状态控制电路,其特征在于:还设有:写跟踪复位电路、虚拟电源产生电路及模拟字线驱动器;写跟踪位线阵列,由多个集成写跟踪SRAM单元和模拟位线负载SRAM单元组成,所述集成写跟踪SRAM单元的写跟踪互补位线连接至写跟踪复位电路上,其电源连接在设有探测端的虚拟电源上,所述模拟位线负载SRAM单元的字线置地;写跟踪字线阵列,由多个模拟字线负载SRAM单元组成,其模拟字线信号与模拟字线驱动器和集成写跟踪SRAM单元的字线相连,其位线悬空;可编程集成模拟写入驱动器,其输出端与模拟位线负载SRAM单元的写跟踪位线和集成写跟踪SRAM单元的写跟踪位线连接。
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