[发明专利]一种弛豫SiGe虚拟衬底及其制备方法有效
| 申请号： | 201010214666.9 | 申请日： | 2010-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102315246A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 刘学超;陈之战;施尔畏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | H01L29/00 | 分类号： | H01L29/00;H01L29/06;H01L29/167;H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体材料技术领域，涉及一种弛豫高锗含量的SiGe虚拟衬底及其制备方法。该SiGe虚拟衬底包括Si衬底、在Si衬底上由内而外依次外延生长的Ge晶籽层、Ge缓冲层、组份渐变的SiGe缓冲层和组分恒定的SiGe层；所述Ge晶籽层和所述Ge缓冲层组成Ge驰豫缓冲层。该SiGe虚拟衬底具有高Ge含量、完全弛豫、位错密度低、厚度薄、表面平整等特性。该SiGe虚拟衬底的制备方法为采用减压化学气相沉积法在Si衬底上依次生长各外延层。本发明所制备的弛豫高锗含量的SiGe虚拟衬底，可广泛应用于CMOS工艺中Ge沟道应变工程和高迁移率沟道材料制备上，进一步提高CMOS器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sige 虚拟 衬底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种弛豫SiGe虚拟衬底，所述SiGe虚拟衬底包括Si衬底、在Si衬底上由内而外依次外延生长的Ge晶籽层、Ge缓冲层、组份渐变的SiGe缓冲层和组分恒定的SiGe层；所述Ge晶籽层和所述Ge缓冲层组成Ge弛豫缓冲层。
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