[发明专利]一种半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201010215125.8 | 申请日： | 2010-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN102299074A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/12 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 马佑平 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的形成方法，其中，形成所述源漏区的步骤包括：确定交界区并形成辅助层，所述辅助层覆盖所述交界区，所述交界区包括接于所述隔离区的部分宽度的所述有源区；以所述辅助层、所述栅堆叠结构和所述隔离区为掩膜，去除所述有源区内部分厚度的所述半导体基底，以形成凹槽；在所述凹槽中生成半导体材料，以填充所述凹槽。以及，一种半导体器件，在所述源漏区和所述隔离区之间夹有所述半导体基底材料。利于减少漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的形成方法，包括，在半导体基底上形成有源区和环绕所述有源区的隔离区；形成栅堆叠结构，所述栅堆叠结构形成于所述有源区上并延伸至所述隔离区；形成源漏区，所述源漏区嵌于所述有源区内的所述半导体基底中并位于所述栅堆叠结构两侧；其特征在于，形成所述源漏区的步骤包括：确定交界区并形成辅助层，所述辅助层覆盖所述交界区，所述交界区包括接于所述隔离区的部分宽度的所述有源区；以所述辅助层、所述栅堆叠结构和所述隔离区为掩膜，去除所述有源区内部分厚度的所述半导体基底，以形成凹槽；在所述凹槽中生成半导体材料，以填充所述凹槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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