[发明专利]叠层太阳能电池及其制造方法有效
| 申请号： | 201010215308.X | 申请日： | 2010-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN101872793A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 李晓常;李沅民 | 申请（专利权）人： | 福建钧石能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04;H01L31/0392;H01L31/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362000 福建省泉州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种叠层太阳能电池及其制造方法，由非晶硅(a-Si:H)作为顶层电池，吸收波长较短的蓝、绿光；由化合物半导体铜铟硒化物作为底层电池，吸收波长较长的黄光、红光和红外光(波长达1150nm)。底层的铜铟硒化物薄膜电池由半导体纳米粒子油墨印刷而得，具有成本低廉、高效等特点。顶层的非晶硅薄膜电池由PECVD沉积工艺而得，具有廉价和在弱光条件下工作良好的特性。本发明的叠层太阳能电池兼具成本低廉、高效、稳定等特性。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种叠层太阳能电池，其特征在于：所述太阳能电池包括顶层的高能隙非晶硅薄膜电池和底层的低带隙铜铟镓硒薄膜电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
