[发明专利]CdMnTe薄膜太阳能电池及其制备方法无效
| 申请号： | 201010215756.X | 申请日： | 2010-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN101887921A | 公开（公告）日： | 2010-11-17 |
| 发明（设计）人： | 王林军;黄健;唐可;张继军;贡伟明;夏义本 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04;H01L31/0264;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及的是一种CdMnTe薄膜太阳能电池及其制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域。该CMT薄膜太阳能电池的结构为：透明导电玻璃/CdS/CdMnTe/背电极或透明导电玻璃/CMT电池/CuInSe2电池/背电极的叠层电池。其中CMT薄膜制备方法是：采用近空间升华法在衬底上沉积CdMnTe薄膜；薄膜沉积后，采用近空间升华设备，在氯化镉蒸汽氛围中对CMT薄膜进行高温退火。采用CMT薄膜制备太阳能电池有利于促进低成本、高稳定性和高效率叠层太阳能电池的发展。 | ||
| 搜索关键词： | cdmnte 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种CdMnTe薄膜太阳能电池，其特征在于该太阳能电池采用CdMnTe薄膜作为p型光吸收层材料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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