[发明专利]一种CdTe薄膜太阳能电池背电极的制备方法无效

专利信息
申请号: 201010215805.X 申请日: 2010-06-29
公开(公告)号: CN101950769A 公开(公告)日: 2011-01-19
发明(设计)人: 王林军;黄健;曾庆锴;唐可;张凤娟;夏义本 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0224
代理公司: 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人: 顾勇华
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及的是一种CdTe薄膜太阳能电池欧姆接触背电极的制造方法,属于无机非金属材料器件制造工艺领域。该背电极为CuxO/Cu复合电极,电极结构如图所示;电极制备方法是:采用磁控溅射仪在CdTe薄膜上溅射电极,溅射靶材为高纯Cu电极;溅射时先通入氩气和氧气的混合气体,采用直流磁控法溅射Cu靶从而在CdTe薄膜表面形成CuxO电极;溅射一定时间后关闭氧气气源,继续溅射,从而形成CuxO/Cu复合电极;CuxO/Cu复合电极制备后,将薄膜真空高温退火。采用该复合电极及电极制备方法可以使CdTe薄膜太阳能电池的效率得到提高,促进其应用。
搜索关键词: 一种 cdte 薄膜 太阳能电池 电极 制备 方法
【主权项】:
一种CdTe薄膜太阳能电池背电极的制备方法,其特征在于该方法具有以下工艺步骤:a.采用溅射法在CdTe薄膜表面溅射电极,溅射靶材为高纯铜电极;先用真空泵对溅射室抽真空至5~20Pa,然后用分子泵对反应室抽真空至10‑3Pa以下;通入氩气和氧气的混合气体,氩气和氧气流量比为50/1~1/10;然后采用直流磁控法溅射Cu靶从而在CdTe薄膜表面形成CuxO电极,溅射功率10~500W,溅射气压0.1~10Pa;溅射10~60分钟后关闭氧气气源,继续溅射5~60分钟,从而形成CuxO/Cu复合电极;b.CuxO/Cu复合电极制备后,将薄膜放入真空退火设备中进行高温退火或直接在磁控溅射仪中真空原位退火,退火温度300~600℃,退火时间10~360分钟。
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