[发明专利]一种CdTe薄膜太阳能电池背电极的制备方法无效
申请号: | 201010215805.X | 申请日: | 2010-06-29 |
公开(公告)号: | CN101950769A | 公开(公告)日: | 2011-01-19 |
发明(设计)人: | 王林军;黄健;曾庆锴;唐可;张凤娟;夏义本 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人: | 顾勇华 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及的是一种CdTe薄膜太阳能电池欧姆接触背电极的制造方法,属于无机非金属材料器件制造工艺领域。该背电极为CuxO/Cu复合电极,电极结构如图所示;电极制备方法是:采用磁控溅射仪在CdTe薄膜上溅射电极,溅射靶材为高纯Cu电极;溅射时先通入氩气和氧气的混合气体,采用直流磁控法溅射Cu靶从而在CdTe薄膜表面形成CuxO电极;溅射一定时间后关闭氧气气源,继续溅射,从而形成CuxO/Cu复合电极;CuxO/Cu复合电极制备后,将薄膜真空高温退火。采用该复合电极及电极制备方法可以使CdTe薄膜太阳能电池的效率得到提高,促进其应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 cdte 薄膜 太阳能电池 电极 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种CdTe薄膜太阳能电池背电极的制备方法,其特征在于该方法具有以下工艺步骤:a.采用溅射法在CdTe薄膜表面溅射电极,溅射靶材为高纯铜电极;先用真空泵对溅射室抽真空至5~20Pa,然后用分子泵对反应室抽真空至10‑3Pa以下;通入氩气和氧气的混合气体,氩气和氧气流量比为50/1~1/10;然后采用直流磁控法溅射Cu靶从而在CdTe薄膜表面形成CuxO电极,溅射功率10~500W,溅射气压0.1~10Pa;溅射10~60分钟后关闭氧气气源,继续溅射5~60分钟,从而形成CuxO/Cu复合电极;b.CuxO/Cu复合电极制备后,将薄膜放入真空退火设备中进行高温退火或直接在磁控溅射仪中真空原位退火,退火温度300~600℃,退火时间10~360分钟。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海大学,未经上海大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010215805.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电泳显示面板及其制造方法
- 下一篇:在场位置信息
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的