[发明专利]增益单元eDRAM单元、存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201010217173.0 | 申请日： | 2010-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN101853697A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;李慧 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063;G11C11/401;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于动态随机存储器（DRAM）技术领域，具体为一种增益单元eDRAM单元、存储器及其制备方法。该增益单元eDRAM单元包括读MOS晶体管、写MOS晶体管、写字线、写位线、读字线、读位线以及等效寄生电容，所述写MOS晶体管的漏端与读MOS晶体管的栅极电连接，写MOS晶体管的漏端的深度大于写MOS晶体管的源端的深度，设置写MOS晶体管的漏端掺杂浓度分布以减小漏端的PN结的漏电流。该增益单元eDRAM具有数据保持时间长的特点，由该增益单元eDRAM单元组成的存储器的刷新频率低、功耗小。 | ||
| 搜索关键词： | 增益 单元 edram 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种增益单元eDRAM单元，包括读MOS晶体管、写MOS晶体管、写字线、写位线、读字线、读位线以及等效寄生电容，所述写MOS晶体管的漏端与读MOS晶体管的栅极电连接，其特征在于，所述写MOS晶体管的漏端的深度大于所述写MOS晶体管的源端的深度，设置所述写MOS晶体管的漏端掺杂浓度分布以减小漏端的PN结的漏电流。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学，未经复旦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010217173.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：过载指示阈值的确定方法、系统及设备
- 下一篇：一种纤维沥青碎石封层方法
