[发明专利]氮化物半导体层分离方法、半导体器件和晶片及制造方法有效
| 申请号： | 201010217359.6 | 申请日： | 2010-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN101931035A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 荻原光彦;鹭森友彦;佐久田昌明;桥本明弘 | 申请（专利权）人： | 日本冲信息株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/20;H01L23/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李娜;蒋骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及氮化物半导体层分离方法、半导体器件和晶片及制造方法。在氮化物半导体层的分离方法中，在第一衬底的表面上形成单层或者两层或更多层的石墨烯层。在石墨烯层上形成氮化物半导体层，使得氮化物半导体层借助由于其间界面处的原子级电势的规则性产生的结合力而不是利用共价结合被结合到石墨烯层。利用大于氮化物半导体层与石墨烯层之间的结合力的力或者利用大于石墨烯层的各层之间的结合力的力将氮化物半导体层与第一衬底分离。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 分离 方法 半导体器件 晶片 制造 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体层的分离方法，所述分离方法包括以下步骤：在第一衬底的表面上生长单层或者两层或更多层形式的石墨烯层；在所述石墨烯层上形成氮化物半导体层使得所述氮化物半导体层借助由于其间界面处的原子级电势的规则性产生的结合力而不是利用共价结合被结合到所述石墨烯层；以及利用大于所述氮化物半导体层与所述石墨烯层之间的所述结合力的力或者利用大于所述石墨烯层的各层之间的结合力的力将所述氮化物半导体层与所述第一衬底分离。
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