[发明专利]高带隙亚芳基聚合物有效

专利信息
申请号: 201010217383.X 申请日: 2006-02-22
公开(公告)号: CN101870766A 公开(公告)日: 2010-10-27
发明(设计)人: M·L·马洛克;V·J·李;F·J·莫塔梅迪 申请(专利权)人: 萨美甚株式会社
主分类号: C08G61/10 分类号: C08G61/10;C08G61/12;C07F5/04;C09K11/06;H01L51/54
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 陈季壮
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供了具有空间扭转亚芳基重复单元的发光聚合物,它们尤其适合用作电致发光聚合物。提供了合成该空间扭转聚亚芳基所必需的单体,还提供了使用这些聚合物的电致发光装置。
搜索关键词: 高带隙亚芳基 聚合物
【主权项】:
1.包含亚芳基重复单元的聚合物,其中至少10mol%芳基-芳基二分体具有以下结构:其中或者1)R2、R′2、R6和R′6中至少两个不是氢并且R2、R′2、R6和R′6中至少一个选自-CR7R8R9、OCR7R8R9、-N(CR7R8R9)R10、-SCR7R8R9和-SiR10R11R12,其中R7选自-H、烷基、芳基、杂烷基、杂芳基、氟、氯、烷氧基、芳氧基、氰基、氟代烷基、氟代芳基,R8和R9独立地选自烷基、芳基、杂烷基、杂芳基、氟、氯、烷氧基、芳氧基、氰基、氟代烷基、氟代芳基,和R10、R11和R12独立地选自-H、烷基、芳基、杂烷基、杂芳基、氟代烷基和氟代芳基,2)R2、R′2、R6和R′6中至少一个分别与其相应的邻位取代基R3、R′3、R5和R′5形成桥联单元,并且R2、R′2、R6和R′6中至少一个是非桥联的,或者3)R2,R′2、R6和R′6中至少三个不是氢;和,任选地,R2、R′2、R6和R′6中任一个可以分别与R3、R′3、R5和R′5形成一个桥或多个桥;R3、R′3、R5和R′5中任一个可以与连接到重复单元上的取代基形成一个桥或多个桥,所述重复单元与该芳基-芳基二分体邻接;该芳基-芳基二分体的环中的任何碳原子及其缔合的R基团可以被氮替代而形成杂环;和R7、R8、R9、R10和R11中任一个可以与任何其它的R基团形成一个桥或多个桥,和进一步其中R3、R′3、R5和R′5可以是任何基团,包括但不限于H、烷基、芳基、杂烷基、杂芳基、氟、氯、烷氧基、芳氧基、氰基、氟代烷基、氟代芳基、酯、酰胺、酰亚胺、硫代烷基、硫代芳基、烷基酮和芳基酮。
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