[发明专利]新型平面器件结构的共振隧穿器件无效
| 申请号： | 201010217649.0 | 申请日： | 2010-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN101877361A | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | 郭维廉;毛陆虹;张世林;邵会民 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L29/88 | 分类号： | H01L29/88;H01L29/205 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 刘国威 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域和数字集成电路方面。提供一种新型平面器件结构的共振隧穿器件，能够解决RTD大规模集成的关键问题，占据后COMS器件继承者地位，本发明采取的技术方案是，一种新型平面器件结构的共振隧穿器件，贯穿整个MBE分子束外延材料形成RTD1、RTD2、形成联接RTD1和RTD2共有集电区n+-GaAs层的纵向导电通道，注H+到SI-GaAs层、不退火形成的RTD串联对间的电隔离区，在前述电隔离区和RTD1、RTD2以及联接RTD1和RTD2共有集电区n+-GaAs层的纵向导电通道间是注入B+到n+-GaAs层，形成前述贯穿形成区域间的电隔离。本发明主要应用于半导体器件设计制造。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 平面 器件 结构 共振 | ||
【主权项】：
一种新型平面器件结构的共振隧穿器件，包括MBE分子束外延材料，其特征是，包括MBE分子束外延材料，其特征是，MBE分子束外延材料自底层依次为Si-GaAs、n+-GaAs、n--GaAs、i-GaAs、i-AlAs、i-GaAs、i-AlAs、i-GaAs、n--GaAs、n+-GaAs、n+-InGaAs层，贯穿整个MBE分子束外延材料形成RTD1，贯穿整个MBE分子束外延材料形成RTD2，贯穿整个MBE分子束外延材料形成联接RTD1和RTD2共有集电区n+-GaAs层的纵向导电通道，RTD2、RTD1和纵向导电通道顶部分别为它们各自的Au/Ge/Ni接触电极，最外围是注H+到SI-GaAs层、不退火形成的RTD串联对间的电隔离区，在前述电隔离区和RTD1、RTD2以及联接RTD1和RTD2共有集电区n+-GaAs层的纵向导电通道间是注入B+到n+-GaAs层、不退火形成的电隔离区，联接RTD1RTD2共有集电区n+-GaAs层的纵向导电通道、RTD1和RTD2在n+-GaAs层联接在一起，联接RTD1和RTD2共有集电区n+-GaAs层的纵向导电通道与其顶部的Au/Ge/Ni接触电极通过纵向导电通道相连，纵向导电通道由下列方法之一形成：①从上表面刻深槽到达n+-GaAs层，以Au/Ge/Ni填充沟槽；②注入硅离子(Si+)，深度达到n+-GaAs层，经过快速退火，实现n+型重掺杂。
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