[发明专利]接触孔的制作方法有效
| 申请号： | 201010218077.8 | 申请日： | 2010-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN102299100A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;谢栒 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种接触孔的制作方法，包括：在衬底上依次形成导电层、刻蚀停止层、介电层、收缩层、第一抗反射层、第二抗反射层和带有图案的光刻胶层；以所述光刻胶层作为掩膜，对所述第二抗反射层进行刻蚀；以所述光刻胶层和所述第二抗反射层为掩膜，对所述第一抗反射层进行刻蚀；以所述光刻胶层、所述第二抗反射层和所述第一抗反射层为掩膜，对所述收缩层进行刻蚀；以所述收缩层为掩膜，对所述介电层进行刻蚀；去除所述光刻胶层、所述第二抗反射层、所述第一抗反射层和所述收缩层，完成接触孔的制作。根据本发明的方法，能够有效地改善接触孔的尺寸均匀性和顶视轮廓，从而提高器件的电学性能均匀性，提高良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 制作方法 | ||
【主权项】：
一种接触孔的制作方法，包括：在衬底上依次形成导电层、刻蚀停止层、介电层、收缩层、第一抗反射层、第二抗反射层和带有图案的光刻胶层；以所述光刻胶层作为掩膜，对所述第二抗反射层进行刻蚀；以所述光刻胶层和所述第二抗反射层为掩膜，对所述第一抗反射层进行刻蚀；以所述光刻胶层、所述第二抗反射层和所述第一抗反射层为掩膜，对所述收缩层进行刻蚀；以所述收缩层为掩膜，对所述介电层进行刻蚀；以及去除所述光刻胶层、所述第二抗反射层、所述第一抗反射层和所述收缩层，完成接触孔的制作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
