[发明专利]一种太阳能电池结构及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201010218131.9 申请日: 2010-06-24
公开(公告)号: CN102299185A 公开(公告)日: 2011-12-28
发明(设计)人: 白志民 申请(专利权)人: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/042;H01L31/18
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100026 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种太阳能电池结构及其制备方法,涉及太阳能技术领域,为优化表面减反射钝化层的光学性能和钝化性能,提高电池的光电转换效率而发明。所述太阳能电池结构,包括电池基片,所述电池基片的迎光面上设置有包括m(m为整数且m≥3)层膜结构的SiNx减发射钝化层;第一层膜结构设置在所述电池基片上,第二层膜结构设置在所述第一层膜结构上...第m层膜结构设置在第m-1层膜结构上;所述第一层膜结构的折射率大于所述第二层膜结构...所述第m层膜结构的折射率大于所述第m-1层膜结构。本发明可用于晶硅太阳能电池工艺中。
搜索关键词: 一种 太阳能电池 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
一种太阳能电池结构,包括电池基片,所述电池基片的迎光面上设置有SiNx减发射钝化层,其特征在于,所述SiNx减反射钝化层包括m(m为整数且m≥3)层SiNx膜结构;其中,第一层膜结构设置在所述电池基片上,第二层膜结构设置在所述第一层膜结构上...第m层膜结构设置在第m‑1层膜结构上;所述第二层膜结构的折射率小于所述第一层膜结构的折射率...所述第m层膜结构的折射率小于所述第m‑1层膜结构的折射率。
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