[发明专利]一种太阳能电池结构及其制备方法有效
申请号: | 201010218131.9 | 申请日: | 2010-06-24 |
公开(公告)号: | CN102299185A | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
发明(设计)人: | 白志民 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/042;H01L31/18 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100026 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种太阳能电池结构及其制备方法,涉及太阳能技术领域,为优化表面减反射钝化层的光学性能和钝化性能,提高电池的光电转换效率而发明。所述太阳能电池结构,包括电池基片,所述电池基片的迎光面上设置有包括m(m为整数且m≥3)层膜结构的SiNx减发射钝化层;第一层膜结构设置在所述电池基片上,第二层膜结构设置在所述第一层膜结构上...第m层膜结构设置在第m-1层膜结构上;所述第一层膜结构的折射率大于所述第二层膜结构...所述第m层膜结构的折射率大于所述第m-1层膜结构。本发明可用于晶硅太阳能电池工艺中。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池结构,包括电池基片,所述电池基片的迎光面上设置有SiNx减发射钝化层,其特征在于,所述SiNx减反射钝化层包括m(m为整数且m≥3)层SiNx膜结构;其中,第一层膜结构设置在所述电池基片上,第二层膜结构设置在所述第一层膜结构上...第m层膜结构设置在第m‑1层膜结构上;所述第二层膜结构的折射率小于所述第一层膜结构的折射率...所述第m层膜结构的折射率小于所述第m‑1层膜结构的折射率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司,未经北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010218131.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的