[发明专利]一种晶体硅太阳电池背面钝化的方法

摘要

本发明公开了一种晶体硅太阳电池背面钝化的方法，该方法是首先在太阳电池的正面沉积SiN×减反射薄膜，利用SiN×减反射薄膜作为掩膜，在加热的碱液中腐蚀太阳电池的背面，得到钝化所需要的抛光面，然后在该抛光面上沉积双层薄膜钝化层形成背面钝化层，接着采用激光刻蚀或者丝网印刷腐蚀性浆料在背面钝化层上开电极窗口，最后在其上采用丝网印刷或溅射法形成局部接触背电极。本发明方法大大提高了太阳电池的长波响应，提高了太阳电池的转换效率，同时因为取消了全铝背场结构，从而减小了太阳电池的弯曲，更适应太阳电池薄片化的趋势。

主权项

一种晶体硅太阳电池背面钝化的方法，其特征在于，首先在太阳电池的正面沉积SiNx减反射薄膜，利用SiNx减反射薄膜作为掩膜，在加热的碱液中腐蚀太阳电池的背面，得到钝化所需要的抛光面，然后在该抛光面上沉积双层薄膜钝化层形成背面钝化层，接着采用激光刻蚀或者丝网印刷腐蚀性浆料在背面钝化层上开电极窗口，最后在其上采用丝网印刷或溅射法形成局部接触背电极。