[发明专利]沟栅场效应晶体管及其形成方法

摘要

本发明公开了一种沟栅场效应晶体管及其形成方法。一种单片集成场效应晶体管和肖特基二极管，包括延伸到半导体区内的栅极沟槽。具有基本三角形的源极区位于栅极沟槽的每一侧的侧面。接触开口延伸到相邻栅极沟槽之间的半导体区中。导体层填充接触开口以：(a)沿每一源极区的倾斜侧壁的至少一部分电接触源极区，以及(b)沿接触开口的底部电接触半导体区，其中，导体层与半导体区形成肖特基接触。

主权项

一种形成场效应晶体管的方法，所述场效应晶体管具有有源区和围绕所述有源区的终止区，所述方法包括：在第一硅区中形成阱区，所述阱区和所述第一硅区是相反传导型的；形成栅极沟槽，所述栅极沟槽延伸穿过所述阱区并终止于所述第一硅区内；在每一栅极沟槽中形成凹入式栅极；在每一凹入式栅极上形成电介质帽；使相邻沟槽之间的所述阱区凹入，以暴露每一电介质帽的上侧壁；实施毯式源极注入，以在每两个相邻沟槽之间的所述凹入阱区的上部中形成第二硅区，所述第二硅区与第一硅区是相同传导型的；沿所述电介质帽的每一暴露的上侧壁形成电介质间隔体，位于每两个相邻栅极沟槽之间的每两个相邻电介质间隔体在所述第二硅区上形成开口；以及通过在每两个相邻电介质间隔体之间的所述开口使所述第二硅区凹入，以使仅所述第二硅区的在所述电介质间隔体正下方的部分保留下来，所述第二硅区的所述保留部分形成源极区。