[发明专利]一种Si-Al-C-N陶瓷先驱体的制备方法无效
| 申请号： | 201010218392.0 | 申请日： | 2010-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN101870585A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 谢征芳;蔡溪南;锁兴文;王军;薛金根;陈朝辉 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58;C04B35/56;C04B35/622 |
| 代理公司： | 长沙星耀专利事务所 43205 | 代理人： | 宁星耀 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | （1）一种Si-Al-C-N陶瓷先驱体的制备方法，其包括以下步骤：将主链含硅的氯硅烷经含－NH2的化合物氨解，过滤，再减压蒸馏，得到聚硅氮烷；（2）取一定量的聚硅氮烷置于三口烧瓶中，加有机溶剂四氢呋喃或甲苯溶解，按照Si和Al的摩尔比为1-5:1或1:2，加入含有Al-H的有机铝化合物；（3）在N2气氛保护下，将三口烧瓶置于室温下持续搅拌反应24－72h；（4）反应后在60－90℃减压蒸馏去除溶剂，即得到Si-Al-C-N陶瓷先驱体。本发明原料化合物多样、来源广泛；先驱体中Al的含量可控可调，Al在先驱体中可达分子级别匀化。反应过程易于控制，合成产率高，产物纯度高，热解产物具有优异耐高温性能和高温抗氧化性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 si al 陶瓷 先驱 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Si-Al-C-N陶瓷先驱体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将主链含硅的氯硅烷经含－NH2的化合物氨解，过滤，再减压蒸馏，得到聚硅氮烷；（2）取一定量的聚硅氮烷置于三口烧瓶中，加有机溶剂四氢呋喃或甲苯溶解，按照Si和Al的原子摩尔比为1-5:1或1:2，加入含有Al-H的有机铝化合物；（3）在N2气氛保护下，将三口烧瓶置于室温下持续搅拌反应24－72 h；（4）反应后在60－90 ℃减压蒸馏去除溶剂，即得到Si-Al-C-N陶瓷先驱体。
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