[发明专利]一种掺杂的铸造多晶硅及制备方法

摘要

本发明涉及用于半导体领域的多晶硅实体，特别适用于光电领域的连续铸造多晶硅固体实体。现有的铸造多晶硅，其性能对包括金属、氧、碳等的杂质和重掺的III、V族杂质的耐受性较差，并含有密度较高的多种缺陷，本发明提出了一种掺杂有氧、碳、氮、锗的半导体铸造多晶硅实体及其制造方法，其在同样的杂质水平上含有密度较少的缺陷和更高的半导体性能，并且其半导体性能对包括过渡金属和重掺III、V族杂质等在内的杂质耐受性提高，在同等杂质浓度下，具有更好的光电等半导体性能。本发明还提出了包含有所述的掺杂的多晶硅的半导体元器件，例如光电池。

主权项

一种掺杂的方向凝固铸造多晶硅，其含有任选自III族和V族元素中的至少一种元素的掺杂剂，其特征是，还掺杂有浓度为0.25～4*1017cm‑3的碳，0.1～12*1016cm‑3的氮；0.5～20*1017cm‑3的氧，0.2*1016～1*1020cm‑3的锗。