[发明专利]具有超晶格结构有源层的发光器件有效
| 申请号： | 201010219112.8 | 申请日： | 2010-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102315341A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 苏喜林;谢春林;胡红坡;张旺 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有超晶格结构有源层的发光器件。该具有超晶格结构有源层的发光器件，包括基体和形成于所述基体上的多层Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体结构，所述半导体结构包括依次形成于所述基体上的第一半导体层、有源层和第二半导体层，其中，所述有源层包括超晶格量子阱层，所述超晶格量子阱层包括势垒层和超晶格势阱层。超晶格结构可以降低有源层的晶体缺陷密度和有源层由于晶格不匹配而产生的压电极化效应，提高有源层的晶体质量和发光效率，也提高了发光器件的稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 晶格 结构 有源 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种具有超晶格结构有源层的发光器件，包括基体和形成于所述基体上的多层Ⅲ‑Ⅴ族氮化物半导体结构，所述半导体结构包括依次形成于所述基体上的第一半导体层、有源层和第二半导体层，其特征在于，所述有源层包括超晶格量子阱层，所述超晶格量子阱层包括势垒层和超晶格势阱层。
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