[发明专利]一种太阳能电池片的制备方法有效
| 申请号： | 201010219118.5 | 申请日： | 2010-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102315309A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 李燕燕 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种太阳能电池片的制备方法，步骤包括：a、在制绒后的硅片表面制备a-Si:H薄膜；b、将步骤a所得的表面含有a-Si:H薄膜的硅片于800-900℃下高温处理60-120min；c、将经过高温处理的硅片的表面进行腐蚀处理。本发明在制绒后硅片的背面沉积一层a-Si:H薄膜，可以很好的解决硅片中较多的杂质和微缺陷，提高电池片的使用寿命以及光电转化效率等电化学性能。而且能够起到很好的背面及体钝化作用，提高太阳能电池的I-V特性。同时工艺简单易实现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池片的制备方法，其特征在于，步骤包括：a、在制绒后的硅片表面制备a‑Si:H薄膜；b、将步骤a所得的表面含有a‑Si:H薄膜的硅片于800‑900℃下高温处理60‑120min；c、将经过高温处理的硅片的表面进行腐蚀处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
