[发明专利]非易失性存储器单元有效
| 申请号： | 201010219643.7 | 申请日： | 2010-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN101937708A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 穆罕默德·包特齐薛 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;邢雪红 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种非易失性存储器单元，上述非易失性存储器单元包括一磁铁(30)、一铁磁性开关元件(24)和加热元件(26)。上述非易失性存储器单元具有低电阻的一设定位置和具有高电阻的一重新设定位置。可利用对开关元件(24)施加一磁场，以设定非易失性存储器单元，且会使开关元件(24)移动至设定位置。可利用加热元件(26)重新设定非易失性存储器单元，上述加热元件(26)会使开关元件(24)回到重新设设定位置。可由一铁磁性材料或一铁磁性形状记忆合金形成上述开关元件。相较于公知的非易失性存储器，上述非易失性存储器单元在高温下具有改善的可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 单元 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器单元，包括：一开关元件，于一设定位置和一重新设定位置之间移动；一磁铁，用以施加一磁场以移动该开关元件至该设定位置；以及多个加热元件，使该开关元件回到该重新设定位置。
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