[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201010219834.3 | 申请日： | 2010-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN101937932A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 中岛都;宫入秀和;伊佐敏行;加藤绘里香;一条充弘;栗城和贵;横井智和 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L29/36 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖;胡烨 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种截止电流低且导通电流和场效应迁移率高的薄膜晶体管。本发明的技术要点在于：在反交错型的薄膜晶体管中，层叠形成氮化硅层和使该氮化硅层氧化而成的氧化硅层作为栅极绝缘层，并且形成从与该栅极绝缘层的氧化硅层的界面正上进行结晶生长而成的微晶半导体层。因为从栅极绝缘层正上进行结晶生长，所以可以得到结晶性高且导通电流和场效应迁移率高的薄膜晶体管。另外，通过设置缓冲层，降低截止电流。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：栅电极；所述栅电极上的栅极绝缘层；所述栅极绝缘层上的包含微晶半导体层的半导体层；以及与所述半导体层接触的源区及漏区，其中，所述栅极绝缘层与所述微晶半导体层的界面的氮浓度为5×1019atoms/cm3以上且1×1022atoms/cm3以下，并且，所述微晶半导体层中的氮浓度具有极小值，该极小值为3×1019atoms/cm3以下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010219834.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
