[发明专利]非易失性存储器及其记录方法无效
| 申请号： | 201010219837.7 | 申请日： | 2010-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN101937686A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 大森广之;山元哲也;细见政功;肥后丰;山根一阳;别所和宏;鹿野博司;五十岚实;大石雄纪;楠真一郎 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种非易失性存储器及其记录方法，该非易失性存储器包括记录电路，该记录电路电执行信息存储器件的信息的记录，该信息存储器件具有被连接至用于信息记录的电源的电阻变化，该方法包括以下步骤：在信息存储器件的记录电路的输出阻抗大于信息存储器件的低电阻状态下的电阻值的条件下，通过记录电路记录低电阻状态下的信息；以及在信息存储器件的记录电路的输出阻抗小于信息存储器件的高电阻状态下的电阻值的条件下，通过记录电路记录在高电阻状态下的信息。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 记录 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器的记录方法，所述非易失性存储器包括记录电路，所述记录电路对信息存储器件电执行信息的记录，所述信息存储器件具有被连接至用于信息记录的电源的电阻变化，所述方法包括以下步骤：在所述记录电路对于所述信息存储器件的输出阻抗大于所述信息存储器件的低电阻状态下的电阻值的条件下，通过所述记录电路记录所述低电阻状态下的信息；以及在所述记录电路对于所述信息存储器件的输出阻抗小于所述信息存储器件的高电阻状态下的电阻值的条件下，通过所述记录电路记录在所述高电阻状态下的信息。
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