[发明专利]一种制造集成电路与栅极结构的方法有效
| 申请号： | 201010220700.3 | 申请日： | 2010-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN102148198A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 叶明熙;欧阳晖;钟汉邠;王祥保 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造集成电路与栅极结构的方法。在此方法中，首先形成具有有限厚度的硬式掩模层于栅极层上。接着，对硬式掩模层提供一加工处理，以使硬式掩模层更能抵抗湿式蚀刻溶液。然后，对已加工的硬式掩模层和栅极提供图案化处理，以形成栅极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制造 集成电路 栅极 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种制造集成电路的方法，其特征在于，包含：提供一基材；形成一材料层于该基材上；形成一硬式掩模层于该材料层上；对该硬式掩模层提供一加工处理，以导入一物质至该硬式掩模层中；以及图案化被加工的该硬式掩模层和该材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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