[发明专利]一种含酮羰基的双羟丙基封端聚硅氧烷的合成方法无效

专利信息
申请号: 201010220912.1 申请日: 2010-07-08
公开(公告)号: CN101885844A 公开(公告)日: 2010-11-17
发明(设计)人: 张萌;岳晖;邬元娟;孙素芬;刘峰 申请(专利权)人: 邬元娟
主分类号: C08G77/14 分类号: C08G77/14;C08G77/06;C08G18/61;C09D175/04
代理公司: 济南舜源专利事务所有限公司 37205 代理人: 辛向东
地址: 250100 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明公开了一种含酮羰基的双羟丙基封端聚硅氧烷的合成方法。本发明中的制备方法是以乙酰乙酸甲酯(或乙酰乙酸乙酯)、烯丙醇、六甲基二硅氮烷、四甲基二硅氧烷、四甲基环四硅氧烷和八甲基环四硅氧烷为起始原料,经酯交换、羟基保护、硅氢加成、平衡聚合和醇解反应得到目标化合物侧基含酮羰基的双羟丙基封端聚硅氧烷,产品纯度在98%以上。
搜索关键词: 一种 羰基 丙基 封端聚硅氧烷 合成 方法
【主权项】:
一种含酮羰基的双羟丙基封端聚硅氧烷的合成方法,其特征是:以乙酰乙酸甲酯或乙酰乙酸乙酯、烯丙醇、六甲基二硅氮烷、四甲基二硅氧烷、四甲基环四硅氧烷和八甲基环四硅氧烷为起始原料,经酯交换、羟基保护、硅氢加成、平衡聚合和醇解反应得到目标化合物侧基含酮羰基的双羟丙基封端聚硅氧烷。
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