[发明专利]侧壁光电检测器有效

专利信息
申请号: 201010221055.7 申请日: 2010-06-30
公开(公告)号: CN101937938A 公开(公告)日: 2011-01-05
发明(设计)人: M·T·莫斯;M·J·帕尼恰;O·I·多森穆 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L31/105 分类号: H01L31/105;H01L31/18;G02B6/42
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 马永利;王洪斌
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明公开了侧壁光电检测器。用于集成光子器件的侧壁光电检测器及其制造方法被公开。一个实施例包括形成在衬底半导体特征的侧壁上的p-i-n膜堆叠,其具有大得足以容纳多模光纤的斑点大小的面积。一个实施例包括通过波导被耦合到第二侧壁光电检测器的第一侧壁光电检测器,所述第一侧壁光电检测器具有的i层被调节成吸收入射到第一侧壁的光的第一波长,并且将光的第二波长传递到具有被调节成吸收第二波长的i层的第二侧壁光电检测器。
搜索关键词: 侧壁 光电 检测器
【主权项】:
一种光子器件,包括:衬底半导体膜,其具有形成于其中的基本上垂直的沟槽侧壁;布置在所述沟槽侧壁之上的第一p‑i‑n膜堆叠;以及一对电极,其被耦合到所述p‑i‑n膜堆叠的p型和n型层以在所述沟槽侧壁上形成第一光电检测器。
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