[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201010221417.2 | 申请日： | 2010-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102194874A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 朱鸣;张立伟;庄学理 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/41;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该装置包括：一晶体管，该晶体管包括：一源极区、一漏极区及设置于该源极区与该漏极区之间的一沟道区；一第一栅极，设置于该沟道区之上；以及多个第二栅极，设置于该漏极区之上。本发明的优点之一在于栅极结构于形成栅极结构的相同制造程序中同时形成，而间隔物与形成如间隔物的相同制造程序中同时形成，因此依据本实施例的静电放电保护装置的制作并不需要额外的制造成本。换句话说，栅极结构的形成完全地相容于既存的制造程序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：一晶体管，包括：一源极区、一漏极区及设置于该源极区与该漏极区之间的一沟道区；一第一栅极，设置于该沟道区之上；以及多个第二栅极，设置于该漏极区之上。
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