[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201010222038.5 | 申请日： | 2010-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN101958308A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 尾崎康亮;舛友徹;松田高广;德岭好刚 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件。在开口通孔之后，通过执行两次刻蚀，对底部和顶部进行修圆。因此，可以减小通孔的电阻和可以提高其质量和寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：互连层；层叠在所述互连层上的氧化硅层；穿过所述氧化硅层并到达所述互连层的通孔；覆盖所述通孔中的整个表面的阻挡金属；以及填充在所述通孔中的栓塞，其中，所述通孔的顶部和底部被修圆。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社，未经瑞萨电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010222038.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
