[发明专利]柱状结构及其形成方法、倒装芯片接合结构有效
| 申请号： | 201010222594.2 | 申请日： | 2010-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN101944496A | 公开（公告）日： | 2011-01-12 |
| 发明（设计）人： | 林俊成;余振华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/485;H01L23/495 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种于铜柱结构之上形成良好粘着性的介金属化合物的柱状结构的形成方法与柱状结构及倒装芯片接合结构。该方法包括沉积铜以形成铜柱层；沉积扩散阻挡层于铜柱层之上；沉积铜盖层于扩散阻挡层之上，其中于铜盖层与扩散阻挡层之间形成介金属化合物(IMC)；以及焊料层形成于铜盖层之上。介金属化合物对于铜柱结构具有良好的粘着性，且介金属化合物的厚度由铜盖层的厚度决定，且扩散阻挡层限制铜从铜柱层中扩散到焊料层。于沉积铜盖层之前，方法中还包括沉积一薄层于扩散阻挡层之上，以增进湿润性(wetability)。本发明的优点包括于铜柱凸块上形成良好粘着性的介金属化合物(IMC)，且形成整体可靠的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 柱状 结构 及其 形成 方法 倒装 芯片 接合 | ||
【主权项】：
一种柱状结构的形成方法，包括以下步骤：形成一铜柱层；沉积一扩散阻挡层于该铜柱层之上；以及形成一介金属化合物于该扩散阻挡层之上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
