[发明专利]一种用多晶硅制作突变结的稳压二极管及其制造工艺

摘要

一种用多晶硅制作突变结的稳压二极管，在N型衬底抛光片上，先制作一个PN结保护环，在该PN结保护环内的N型衬底抛光片上的表面和该PN结保护环的内半边处均淀积一层多晶硅，形成一种普通PN结二极管和一个突变结二极管并联的结构的稳压二极管；其制造工艺：①在N型衬底抛光片表面制作氧化层；②光刻PN结保护环；③使用硼纸扩散方法使所述PN结保护环成为方块电阻2.5±0.5Ω/□的P型掺杂区；④淀积多晶硅层；⑤最后去除表面多余的多晶硅。本发明的稳压二极管达到了反向击穿漏电流较小，击穿后的阻抗也较小，即在较大反向电流变化范围内电压波动较小，稳压的效果更好，能够满足高标准用户的要求。

主权项

一种用多晶硅制作突变结的稳压二极管，其特征在于：在N型衬底抛光片(3)上，先制作一个PN结保护环(6)，在该PN结保护环(6)内的N型衬底抛光片(3)上的表面和该PN结保护环(6)的内半边处均淀积一层多晶硅(1)，形成一种普通PN结二极管和一个突变结二极管并联的结构的稳压二极管。