[发明专利]一种MOS管控制发光二极管的器件、阵列及其制造方法无效
申请号: | 201010223246.7 | 申请日: | 2010-07-09 |
公开(公告)号: | CN102315216A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
发明(设计)人: | 王鹏飞;刘磊;刘伟 | 申请(专利权)人: | 苏州东微半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;H01L27/142;H01L21/77 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215230 江苏省苏州市工业*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种使用MOS晶体管控制发光二极管的半导体器件。将发光二极管及MOS晶体管集成在同一个芯片上,使单个芯片就可以实现图像的发射。由多个所述半导体器件还可以构成一个半导体器件阵列。同时,本发明还公开了所述半导体器件的制造方法。采用本发明技术制造的投影机具有体积小、功耗低、可便携性等优点,而且,集成电路芯片的使用,使得投影机系统大大简化,降低了生产成本,并且可以大大提高像素及亮度。 | ||
搜索关键词: | 一种 mos 控制 发光二极管 器件 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种MOS晶体管控制发光二极管的半导体器件,包括至少一个半导体衬底、位于所述半导体衬底之上形成的一个MOS晶体管和一个发光二极管(LED),其特征在于,所述LED包括至少一个发光层、位于所述发光层之上的p型区域、位于所述发光层之下的n型区域;所述MOS晶体管包括至少一个源区、一个漏区、一个衬底区和一个栅区;所述MOS晶体管的衬底区与所述的LED发光层之上的p型区域为同一层,但通过隔离结构与所述的LED的p型区域相隔离;所述MOS晶体管的p型衬底区之下为发光层,该发光层与所述的LED的发光层相同,但通过隔离结构与所述的LED的发光层相隔离;所述的MOS晶体管的源极(或漏极)与所述的LED的p型区域通过金属连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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