[发明专利]一种MOS管控制发光二极管的器件、阵列及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201010223246.7 申请日: 2010-07-09
公开(公告)号: CN102315216A 公开(公告)日: 2012-01-11
发明(设计)人: 王鹏飞;刘磊;刘伟 申请(专利权)人: 苏州东微半导体有限公司
主分类号: H01L27/04 分类号: H01L27/04;H01L27/142;H01L21/77
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215230 江苏省苏州市工业*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种使用MOS晶体管控制发光二极管的半导体器件。将发光二极管及MOS晶体管集成在同一个芯片上,使单个芯片就可以实现图像的发射。由多个所述半导体器件还可以构成一个半导体器件阵列。同时,本发明还公开了所述半导体器件的制造方法。采用本发明技术制造的投影机具有体积小、功耗低、可便携性等优点,而且,集成电路芯片的使用,使得投影机系统大大简化,降低了生产成本,并且可以大大提高像素及亮度。
搜索关键词: 一种 mos 控制 发光二极管 器件 阵列 及其 制造 方法
【主权项】:
一种MOS晶体管控制发光二极管的半导体器件,包括至少一个半导体衬底、位于所述半导体衬底之上形成的一个MOS晶体管和一个发光二极管(LED),其特征在于,所述LED包括至少一个发光层、位于所述发光层之上的p型区域、位于所述发光层之下的n型区域;所述MOS晶体管包括至少一个源区、一个漏区、一个衬底区和一个栅区;所述MOS晶体管的衬底区与所述的LED发光层之上的p型区域为同一层,但通过隔离结构与所述的LED的p型区域相隔离;所述MOS晶体管的p型衬底区之下为发光层,该发光层与所述的LED的发光层相同,但通过隔离结构与所述的LED的发光层相隔离;所述的MOS晶体管的源极(或漏极)与所述的LED的p型区域通过金属连接。
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